Готово све што се може прочитати уноси силиконски карбид: силицијум-карбид има размак од 2,8 пута дужи од силицијума (широки пропусни опсег) и 3,09 електрон-волти. Снага поља диелектричног квара је 5,3 пута већа од силицијума, и то до 3,2 МВ / цм. Његова топлотна проводљивост је 3,3 пута већа од силицијума, што је 49в / цм.к. Сцхоттки-ове диоде и МОС пољски транзистори направљени од силицијум-карбида имају редослијед тањих од исте силиконске направе отпорне на напон. Концентрација нечистоће може бити два реда силикона. Према томе, импеданција уређаја по силиконској карбидној сили је само једна стота од силицијумове направе. Отпорност на одљев је готово једнака пуној отпорности уређаја. Стога је калоријска вредност уређаја силицијум-карбид изузетно ниска. То помаже у смањењу губитака у проводљивости и пребацивању, а радна фреквенција је обично више од 10 пута већа од силиконских уређаја. Поред тога, полупроводници силицијум-карбида имају својствену отпорност на зрачење. Последњих година, уређаји за напајање као што су ИГБТ-ови (изоловани биполарни транзистори) направљени од материјала силицијум-карбида, коришћени су у поступцима као што је мањинско суб-убризгавање како би се смањила импеданција стања на једну десетину од уобичајених уређаја од силицијума. Поред тога, сам уређај силицијевог карбида има малу производњу топлоте, па самим тим и уређај силицијевог карбида има одличну топлотну проводљивост. Такође, уређаји за напајање силицијум-карбида могу да раде на високим температурама од 400 ° Ц. Може да контролише велике струје помоћу ситних уређаја. Радни напон је такође много већи. хттпс://ввв.хсхигхтец.цом/
